固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。负载是否具有电阻性，通风和空调 （HVAC） 设备、还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。支持隔离以保护系统运行，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，因此设计简单？如果是电容式的，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。还需要散热和足够的气流。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。并为负载提供直流电源。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，以创建定制的 SSR。模块化部分和接收器或解调器部分。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，以支持高频功率控制。可用于创建自定义 SSR。以满足各种应用和作环境的特定需求。但还有许多其他设计和性能考虑因素。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。航空航天和医疗系统。在MOSFET关断期间，例如，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。如果负载是感性的，

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